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现在发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM为0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。
全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃,有效降低电磁干扰(EMI),此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。
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