据《电子时报》报道，长江存储最近已向一些客户交付了自主研发的192层3DNAND闪存的样品，并预计在今年年底前正式推出产品。
据透漏人表示，长江存储推出的192层3DNAND闪存芯片是具有纪念价值的里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。
消息人士称，因128层3DNAND闪存工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%。
另一方面，美光科技推出了业内首款232层3DNAND闪存，预计将在2023年推出的新款SSD中使用。
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