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安森美将收购碳化硅 JFET 技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合,使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求,还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。
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  安森美(onsemi,纳斯达克股票代码:ON)宣布已与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合,使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求,还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。

  SiC JFET的单位面积导通电阻超低,低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势, SiC JFET的采用能够加快开发速度,减少能耗并降低系统成本,为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。

  “随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示,“随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入,我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗,并提高功率密度的选择。”

  该交易需满足惯例成交条件,预计将于2025年第一季度完成。


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