三星半导体公司近日宣布，该公司已开发并验证了世界上第一个40纳米的DRAM芯片和模块，1Gbit闪存的DDR2组件和相应的1GByte的DDR2 SO-DIMM。已通过英特尔平台的验证程序，用于与英特尔GM45高速移动芯片组。
过渡到40nm工艺技术的DRAM产业将进一步削减50纳米芯片对电压的要求。三星预计将提供约省电约30％的新进程。还声称，40nm DRAM芯片相比50纳米芯片提高生产力约60％提高生产力，但好奇的是，如何实现这一测量。
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