对于暴露于+175°C或更高温度的高功率通信发射器和高频逆变器而言，设计师以前都不得不依赖仅限+150°C的MLCC。今天发布的器件工作温度范围达到了-55°C至+200°C，能够在此类应用场合提供长期的高可靠性。为了提高设计灵活性，MLCC的小型0402、0603、0805和1111外壳尺寸允许放置在靠近诸如SiC和GaN开关等高耗散元件的地方。
VJ HIFREQ HT系列器件基于一种超稳定的陶瓷电介质，提供了高串联谐振频率(SRF)和并联谐振频率(PRF)。MLCC具有从16V至500V的更大工作电压范围以及从0.1pF至3.3nF的更大电容范围，公差仅有±0.05 pF。该器件提供优异的每十年0%的老化率以及高ESD耐受能力，以防止高压瞬变。
这些电容器采用湿法制造工艺用贵金属电极(NME)技术制造而成，并采用了各种符合RoHS标准的终端涂层(termination finish)，其中包括：具有100%镀锡板、用于回流焊的镍屏障(代号为“X”)，用于对磁干扰敏感的应用的无磁铜屏障(代号为“C”)，以及用于导电环氧树脂组件的银钯(代号为“E”)。VJ HIFREQ HT系列也可具有含铅(最少4%)终端涂层(代号为“L”)。这些器件设备不含卤素和符合Vishay Green标准(“L”终端除外)。
VJ HIFREQ HT系列已经可以接受样品和批量生产安排，大型订单供货周期为九周。
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