格罗方德公司(Globalfoundries)日前宣布已经运用14纳米FinFET工艺在硅晶片上实现了长距离56Gbps SerDes性能。新的FX-14是格罗方德高性能ASIC产品系列之一，而新开发的56Gbps SerDes是针对需要提高功率和性能的客户所设计，能应对严苛的长距离高性能应用需求。
 
　　新的56Gbps SerDes 内核同时支援 PAM4 和 NRZ 信号传导，可补偿超过 35dB 的插入损耗，因而无须在目前极具挑战性的系统内容中部署昂贵的高功耗中继器。56Gbps SerDes采用突破性的创新架构，实现了业界领先的长距离传输性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新兴的 50Gbps行业标准。
 
　　FX-14 产品可提供多种高速 SerDes (HSS) 解决方案，其制造基础是位于纽约州马尔他市 Fab 8 工厂内的成熟且经生产验证的 14纳米FinFET (14LPP) 平台。 一流的高性能56Gbps架构可提供业界领先的抖动性能和均衡支援，可在多种高速介面标准下强化系统性能，并可为当前及未来的顶尖网路、计算和存储应用构建高速连接和低功耗的解决方案。
 
　　格罗方德全球销售和业务开发部高级副总裁Mike Cadigan指出，新的ASIC方案将为严苛的网路和资料中心应用提供业内56Gbps性能。结合该公司14LPP技术，新方将将提高下一代网路设备的频宽容量、可扩充性和能效。
 
　　格罗方德 FX-14 设计系统凭借着56Gbps SerDes、PCI Express和多个30Gbps SerDes 设计，以及支援多种外置记忆体介面，进一步强化了在 HSS 方面的领导地位。目前格罗方德的嵌入式记忆体解决方案包括高度和低功耗的嵌入式TCAM，与前代产品相比，其性能提高60%，漏电率降低80%，而SRAM 的密度和性能也有所优化。
 
　　目前，客户正在设计基于 14LPP 工艺技术的高级 ASIC 解决方案，该方案使用 56Gbps 和其他 FX-14 SerDes 内核。 56Gbps SerDes技术目前正在客户管道中展示，而开发板将于2017年第一季度初投放市场。 针对下一代资料通信网路，格罗方德正在开发易于迁移的先进电气解决方案和光学替代解决方案，以便让多种技术实现112Gbps及以上的通信能力。