800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品，这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的最低 RDS(on)值，从而实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。
易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力，从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的最小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。
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