这些1200伏特(V) IGBT利用安森美半导体专有的超场截止沟槽技术并符合现代开关应用的严格要求，如不间断电源、太阳能逆变器和焊接。它们能实现领先行业的总开关损耗(Ets)特点，显著提升的性能部分归因于极宽的高度触发的场截止层及优化的共同封装二极管。
安森美半导体功率分立器件分部副总裁兼总经理Asif Jakwani说：“我们很高兴公司新的超场截止1200 V IGBT获得Top 10电源产品奖，认可了我们为大功率开关系统在电源能效设立的新基准。安森美半导体已投入可观资金，利用我们专有的超场截止沟槽技术设计IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低开关损耗，增强电源能效，提供强固工作和高性价比。”
每年的Top 10电源产品奖项需通过专家评委会严格的评估和推荐程序鉴别一系列电源产品。评审提名产品的3个主要标准为：创新设计、性价比及技术突破。
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